在人工智能算力需求爆发的背景下，GPU（图形处理单元）已经从"游戏显卡"演变为数据中心的核心加速器。近日，海外投行 Bernstein Research（伯恩斯坦） 公布了《China AI Accelerators Market Share》报告，细化了2025年中国GPU市场的份额分布，并对2026-2028年的趋势作出了预测。下面，我把报告的核心数据和背后的逻辑，用更通俗的方式拆解一遍，帮助你快速把握国内GPU版图的最新动向。 2025年市场份额概览 华为 销售额 102.68 亿美元，占国内AI加速器市场约40%，与英伟达几乎持平。 英伟达 销售额 101.98 亿美元，同样约40%，是唯一一个在国产厂商之外仍保持"双核"格局的玩家。 寒武纪 销售额 9.99 亿美元，紧随其后，约4%。 海光 销售额 11.18 亿美元，略高于寒武纪，也在4% 左右。 阿里平头哥、百度昆仑芯、AMD 分别占据个位数的市场份额，整体在2%-3% 区间。 提示：报告的数值与 IDC 等国内机构的统计可能有细微差别，尤其是华为之外的国产厂商。但从宏观趋势来看，以上数据已经足以映射出行业的竞争格局。 为什么华为还能与英伟达并驾齐驱？ 全栈生态 华为不只提供芯片本身，还搭建了 Ascend 系列的软硬件一体化平台，包括模型编译器、算子库以及面向企业的云服务。全链路的协同让用户在迁移成本上更具优势。 国产政策红利 在国家层面的"算力国产化"推动下，很多政府和国企项目倾向采购本土品牌。华为凭借本土资源和供应链的可控性，抢占了大量大客户。 技术迭代速度 从 Ascend 310 到最新的 Ascend 910B，华为在算子并行度、内存带宽以及能效比上持续突破，已能够满足大多数深度学习训练需求。 英伟达的份额为何呈下降趋势？ 政策壁垒 美国对高性能计算芯片的出口限制，使得英伟达在中国的高端产品（如 H100）供货受阻，导致部分客户转向本土替代方案。 价格竞争 华为、寒武纪等国产芯片在同等算力下的价格更具竞争力，逼迫英伟达不得不在利润空间上让步。 市场成熟度 中国的AI算力需求已经从"先发优势"转向"成本与生态匹配"，这对英伟达的商业模式提出了新挑战。 其他国产玩家的定位与挑战 观察：虽然这些厂商的市场份额相对较小，但它们各自围绕"生态"或"功耗""成本"等细分需求形成了差异化竞争格局，形成了华为-英伟达之外的多元化生态。 2026-2028 年趋势预测：机会与风险共存 1. 2026 年华为份额有望升至 50% Bernstein 认为，随着华为在算力供给链上的自主可控性进一步提升，加之 H100 这类美系高端卡的供应仍受制约，华为的市场占比将突破 一半。这意味着： 华为的渠道与服务网络将进一步巩固，尤其是对大型国企和科研机构的渗透。 竞争对手必须在"成本-性能""软件生态"两方面形成显著优势，才能撬动华为的客户。 2. 英伟达份额跌至 8% 如果 H200（英伟达下一代加速卡）未能及时进入中国市场，英伟达的份额可能会被国产芯片蚕食至 个位数。这对英伟达的收入结构和在华研发投入会产生连锁反应。 3. AMD 可能实现跨越式增长（2% → 12%） 报告把 AMD 的2026年份额预测提升至 12%，但这背后隐藏不少不确定性： 性价比优势 在算力相同的前提下，AMD 的成本优势仍然是最大卖点。 渠道突破 近期有传闻称阿里采购 5-6 万片 AMD GPU，这可能为 AMD 打开中国云服务市场的大门。 政策影响 美国对高性能算力的出口限制若放宽，AMD 可能获得更大的技术输入。 4. 2028 年国产 AI 加速器供大于求 Bernstein 预测，至 2028 年，国产 AI 芯片的供需比将达到 104%，即供给将超过需求。这意味着： 市场进入"优胜劣汰"阶段，产品性能和迭代速度将成为决定成败的关键。 那些无法快速提升算力、功耗或生态兼容性的厂商，很可能被市场边缘化。 对于投资人来说，这是一段 2-3 年的黄金窗口期，在此期间抢占技术高地或获取并购标的的回报率最高。 深度分析：国产 GPU 的赛道到底在跑向哪里？ 算力国产化不再是"嘴上说"。 随着国家对 AI 关键算力的安全要求升级，国产芯片的合规优势会持续放大。华为的 "全栈" 方案已经在多个行业（如油气、金融、智慧城市）落地，形成了真实的商业案例。 软件生态是最薄弱的环节。 GPU 的价值在于它能否快速把模型跑通。虽然华为、寒武纪、海光都在投入编译器和算子库，但与英伟达的 CUDA + cuDNN 生态相比，仍有不小差距。未来的竞争焦点将是 "一键迁移、全场景兼容" 的能力。 功耗与成本仍是大模型训练的关键。 大模型的训练费用主要花在电力和硬件采购上。国产芯片在功耗控制上已经取得一定优势（如海光的低功耗推理芯片），这将吸引对成本极度敏感的企业用户。 产业链协同能力决定长期成长。 从硅片、封测到系统集成，国产芯片生态的完整性仍需提升。华为凭借自研的 7nm/5nm 制造能力，已经在供应链上占据主动；而其他厂商如果缺少类似的"闭环"，将更依赖外部代工，风险相对更大。 结语与专业观点 华为 + 英伟达 = 双核霸主 2025 年的市场格局基本确认了这两个玩家的"双核"地位。华为的国产化优势让它在国内市场快速追赶，英伟达仍凭借技术积累占据高端阵地。 国产芯片进入"分水岭" 从 2026 年开始，寒武纪、海光、平头哥、昆仑芯等四大厂商将进入抢占细分市场的关键期，谁能在软件生态和算力提升上实现突破，谁就能在 2028 年的供大于求中站稳脚步。 AMD 潜在黑马 若阿里云等大客户真的下单 5-6 万片 AMD GPU，AMD 有望成为国产阵营中的"第三极"。但它仍需解决供应链与合规性的双重挑战。 未来三年是黄金窗口 报告显示国产 AI 加速器将在 2028 年出现供给过剩，这意味着 2025-2027 年是资本、技术、人才最容易聚集的三年期。企业若想在竞争中脱颖而出，必须在算力、功耗、生态 三方面同步发力。免责声明：本文采摘自"ittbank"，仅代表作者本人观点，如有侵权联系我们删除。

1月19日消息，近日华硕举行了年末联欢晚会，华硕集团董事长施崇棠对华硕暂停手机业务做了公开回应。 施崇棠表示，华硕Zenfone、ROG Phone双品牌从2026年起停止推出新机，我们一定会照顾好原来的客户，只是不再增加新机种。 他还表示，华硕将研发资源聚焦在关键领域，比如PC和各种AI设备。面对存储涨价，施崇棠称华硕已对产品研发规划、销售组合和供应链紧密协作，以确保提供最佳用户体验和价格。 公开资料显示，华硕是较早推出手机业务的厂商之一，早在2014年就推出ZenFone系列，以高性价比在亚洲和欧洲市场广受欢迎。2018年华硕还推出了游戏手机ROG Phone系列，是行业内首批进入电竞手机赛道的品牌之一。 不过因手机业务始终处于亏损局面，华硕手机最终还是选择离场，对于售后服务问题，相关负责人称华硕手机用户将持续享受完整的售后服务，保修条款与软件更新均不受影响。 业内人士指出，随着全球智能手机市场的角逐进入下半场，整个手机市场早已从增量市场转化为存量市场，而且用户的换机周期越来越长。国内智能手机市场中，头部品牌的市场份额不断扩大，留给中小手机厂商的生存空间越来越少。 责编：Vcher 免责声明：本文采摘自"ittbank"，仅代表作者本人观点，如有侵权联系我们删除。

11月21日，中联发展控股发布公告称，于2025年11月21日，公司与徐西昌(卖方)订立一份不具法律约束力的谅解备忘录。 据此，公司有意向龙腾半导体股份有限公司(目标公司)股东收购目标公司最多100%股权，包括卖方(其为目标公司的单一最大股东和董事长)直接持有的目标公司24.81%股权，卖方有意出售及同意沟通以促成目标公司其他股东向公司出售目标公司最多100%股权。建议交易的代价金额预期最高约为45亿港元至90亿港元之间(经参考包括，但不限于，目标公司最新融资估值)，须经订约方同意并载列于将由各方签署的最终协议(正式协议)内。 目标公司是一家领先的功率半导体器件及系统解决方案提供商，为中国陕西省重点产业链(半导体及集成电路)链主企业(彼亦是国家工业和信息化部专精特新"小巨人"企业)。 集团一直积极寻求扩展集团的业务。目标公司是一家集研发、生产及销售为一体的功率半导体全产业链企业。中国作为全球最大的功率半导体消费市场，占据全球差不多一半的市场份额，但中高端产品国产化率相对较低。目标集团拥有兼具产业经验与资本视野的核心团体，能有效扩大在功率半导体消费市场的市场份额，集团认为建议交易有助集团进一步拓展业务范围。 据了解，龙腾半导体为半导体行业中的设计型企业，主营业务为以功率MOSFET为主的功率器件产品的研发、设计及销售，并为客户提供系统解决方案。 龙腾半导体的产品覆盖了功率MOSFET分立器件主要类别，形成了超结MOSFET、平面型MOSFET、屏蔽栅沟槽MOSFET和沟槽型MOSFET四大产品平台，在LED照明驱动、电源适配器、TV板卡、电池管理系统、通信电源、特种电源等领域得到了广泛应用。 据2022年初报道显示，龙腾半导体被科创板终止上市。 免责声明：本文采摘自"ittbank"，仅代表作者本人观点，如有侵权联系我们删除。

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最近有新加入我知识星球的朋友让我讲讲未来半导体行业的趋势。正好最近手头也整理了不少新行业数据，那就随便讲一讲吧 最近数年，在经历了行业从高潮到低谷再到反弹的剧烈起伏折腾后，愈来愈多的朋友在和我交流时也表现出了对此的理解和认可。因此而关注我每个月发布的景气度分析和预测报告的人也越来越多了 趁此机会，我在文章开头把半导体行业发展的基本逻辑再简单讲解一下： 根据美国半导体工业协会(SIA)公布的数据，全球半导体器件的销售额从1977年的38亿美金发展到2024年的6179亿美金，差不多涨了162倍。而同期全球GDP的规模大概是扩大到了原先15.1倍的样子（对比趋势图见下方，器件市场数据轴在左边，GDP的在右边） 很明显，半导体器件市场长期以来增速明显跑赢GDP变化。而如果将器件市场数据除以GDP数据以后，我们可以清晰看到比例值在整个周期里有两处明显的转折点，从而将周期分成三部分： 阶段一/暴增期（1977~1994）：此阶段中，由于半导体产业刚刚兴起，迅速填补着市场需求的空白，所以整体呈现井喷式的暴增 阶段二/稳定期（1995~2009）：当器件销售额占总GDP的比例达到约0.45%左右的时候，其市场迅速切换到了饱和状态，所以器件市场的总体增量几乎和GDP的发展基本保持一致，所以除了2000年的IT泡沫期以外，阶段内其余时间占比值大体稳定在应该固定范围内 阶段三/增长期（2010以后）：随着智能手机的出现并普及，移动互联网带动了整个信息产业的巨大发展，这也给上游的硬件、尤其是芯片行业带来的巨大的额外市场空间，使得半导体器件市场的发展速度再次大幅度跑赢了GDP增速 在人类最近超百年的工业发展史上，绝大多数行业一旦从高速发展的朝阳行业进入成熟期后增长就一路放缓，再也没有抬头机会，从而变成夕阳行业 -- 类似半导体器件行业从第一阶段到第二阶段的经历 然后，半导体市场似乎打破了这个固化的套路，在2010年以后再次进入较为高速的增长期。这个现象在其它领域里是几乎绝无仅有的了 之所以能如此，我认为这无非是由半导体器件（芯片）的两大特性决定的： 1）半导体芯片的绝大多数功能本质上就是信息行业的基座。目前人类的一切信息（也就是数据）都需要以电子化的形式存在。无论是数据的采集、传输、运算处理、存储和显示都需要通过芯片来实现。所以，只要信息产业依旧保持高速发展，人类对于芯片的需求量也就会越来越多 人类每天出行的时间是有限的，所以对交通工具和配套设施的使用量也有明显的天花板，这就导致各种交通工具以及相关基建行业在发展到一定阶段都会遇到瓶颈；然而人类生活、生产中每天产生和接收的信息（数据）是以几何数量增加的，这也就导致我们对芯片的需求也持续高速增长，而且暂时看不到尽头 2）半导体行业有一个其它行业没有的摩尔定律。这确保了芯片的性能（性价比）可以持续地翻倍增长。汽车内燃机的效率已近几十年没有明显提升了；电动车用的电池能量密度的年增长率也不过10%上下，其它行业的技术发展也不过如此。 这些行业的发展都受困于技术发展的缓慢 而芯片（制造工艺和设计）的高速进步，就为下游信息行业的发展提供了足够的动力支持和保障；而信息行业的高速发展又反哺地提供更多对于芯片产品的需求 而摩尔定律的存在，就意味着半导体芯片技术的快速迭代。这不仅对设计本身不断提出新的要求，也需要上游制造工艺、以及相关的设备、耗材等一并随着摩尔定律持续发展。这就导致半导体行业的整个上游供应链都能吃到相关红利，获得高速增长的机会。ASML的光刻机就是最好的例子之一 很显然，当下半导体行业处于2010前后开始的第三阶段 随着2008年苹果公司推出iphone手机，我们的生活在接下来的几年时间里迅速进入到3G移动通讯时代，随之而起的就是一轮轰轰烈烈的移动互联网大发展 通过手机，我们不再是简单地语音和文字短句单点沟通，而是以多媒体的形式大量的发布和获取高清图片、视频、数码音乐，而这背后就是数据量的大爆发 而数据量的爆发就意味着对芯片需求量的增加。更快的处理能力、更大的存储容量以及更快的通讯速度都意味着对于芯片无论是技术性能和数量上都有不断增加的需求 而随后而来的4G通讯，更是进一步把需求推向更高的高度 由下图可见（SIA数据），2010年至今，全球半导体器件市场的规模始终保持一个高速增长。长期来看，其始终保持一个指数级增长，并且平均年化增长率约6% 大硅片的出货量（等效面积）的随之保持增长 -- 大硅片的出货面积代表了全球晶圆厂的实际产能使用情况 而在产能扩张和制造技术迭代的双重驱动下，半导体设备的市场空间更是增长惊人 注）关于半导体器件市场的周期波动原理和对上游供应链的影响力，以后我会择机另行分析和讲解 但是，从居安思危的角度来考量，3/4G带来的红利很可能已经被吃完了，而5G的发展并没有给移动通讯领域带来足够多的发展机会。于是，我们不得不考虑 -- 接下来的半导体市场的发展红利在哪里？ 如果让我来回答这个问题的话，那我会毫不犹豫地说： 不用问，下一阶段的红利就是人工智能 我甚至可以负责任地说，其实我们半导体行业已经进入了第四阶段 -- 人工智能发展引领的下一轮高速增长时代早就开始了 仔细看我之前发布的器件市场数据和大硅片出货面积数据并对比就会发现：虽然最近两年器件市场高速增长，但硅片出货面积却没有明显变化 把两者的景气度指数（期望值偏差的归一化结果）放在一起就可以看到： 多年来大体上走势一致的两条线在最近一年多的时间里出现越来越多大的敞口 这说明，芯片实际的产能总量（晶圆出货面积）并无实质性变化，器件市场的增加主要是依赖于芯片单价的增加 人工智能AI行业的高速发展，导致了依赖于高端的工艺的算力芯片出货量暴增，而其它传统工艺为主的消费电子芯片基本没有变化。价格极高的算力芯片的出货量占比明显增加后就直接拉高了芯片的均价。这也就导致整体芯片数量/晶圆面积没有明显增加的情况下，器件市场销售总额大幅提升 下面两张图是TSMC和UMC的月度营收统计。两者在最近两年内营收发展趋势的差异尤为明显。拥有FinFET先进工艺的TSMC近两年营收暴增，而只有成熟工艺（最高28nm）的UMC同期则发展缓慢 这一切都反映了AI算力芯片对当下器件市场的巨大影响 不过新的问题也随之而生：这一轮的AI算力芯片的市场暴增是否是一个巨大泡沫，是否有能力引领半导体芯片业在未来10~15年的持续高速增长？ 很明显，当下算力芯片市场的泡沫是客观存在的，所以我在前面的器件市场走势预测里也做了年底见顶回调的判断 但是，如果问我AI行业是否有能力像移动通讯行业一样给半导体行业带来一个长期（十年以上）的红利，那我的回答只能是 必须能，而且也只能是AI行业会给半导体带来一个长期红利期 从短期来看，人工智能领域的算力军备竞赛或许会告一段落，但不会迅速结束。放眼至少两三年内，在大模型的训练和推理这块，市场对于算力芯片的需求会始终维持在高水平 就我看到的信息而言，各家相关公司的Forcast似乎都不错。无论如何，TSMC最近两个季度高企的资本支出数字摆在那里 如果没有下游客户的巨大订单在手，精明的TSMC是断然不会做如此规模的产能扩张动作的 下图中，全球测试设备老大爱德万暴涨的设备销售额也能充分反映下游某设计公司的扩产雄心了 从长期来看，我作为一个相对保守的乐观主义者还是非常看好未来AI产品的应用落地的。今年年初DeepSeek的横空出世，更是坚定了我的这一观点 如果未来一两年内AI产品（无论是大模型Agent、智能驾驶、人形机器人或者其它各类软硬件应用）的落地一旦开始，那必然会给整个消费电子带来一大波新的换机潮和新产品爆发潮。而这个情况一旦发生，就会给整个电子行业带来巨大的机会，从而不仅仅是带动算力芯片，也会惠及各种消费电子的芯片市场，从而带动整个市场的全面发展 而且无论如何，未来AI产品产生的数据量一定是过去仅靠人类自己产生数据量的几千几万倍。一个普通人用AI一分钟内产生的图片、动画会比一位专业作者一年的产出量还大。海量的基数（人数）乘以效率（AIGC的能力），其数据量已经超乎我的想象了。仅仅是靠这一点，未来对各种芯片的需求也会是一个巨量 未来可期，不是仅仅说说而已 以上就是我个人对于未来半导体市场发展宏观趋势看好的理由。个人观点，仅供大家参考 但是在阶段性上，我们还是需要认真及时观察行业动态，研究和预测短周期内的不确定性 另外，在各个细分领域和行业也存在各种变数和差异，我们也需要细致入微地进一步学习、观察和思考 免责声明：本文采摘自"ittbank"，仅代表作者个人观点，如有侵权请联系我们删除。

最近一两年的时间里，我一直在各种渠道里讲半导体测试设备（ATE）这个行业已经非常卷了，可是还有头铁的投资人不时给我发新项目的BP 最近，我又从一级市场投资人那里得到好几个新的供应商信息 不知不觉中，我的数据库里已经有99家供应商了，其中中国大陆和香港的厂商数量高达58家 ... 作为一名半导体测试行业出身的老兵，也只能表示看不懂了 关于我对这个行业的观点，大家可以参考一下我去年写的老文章 虽卷但有：说说我最熟悉的测试机行业吧 但不管怎么说，我还是希望这个行业能够良性发展。这里，我先整理一下最新的供应商数据供大家参考一下吧 我收集了近十年的行业数据已经覆盖了八成以上半导体制造上游的供应链链，还有大量的原创行业景气度数据分析和研报。现在所有数据原始文档都贡献出来，给你个一锅端走的机会(云盘直接同步我电脑硬盘随时更新)另外还有大量的线上半导体知识讲座。 免责声明：本文采摘自"ittbank"，仅代表作者个人观点，如有侵权请联系我们删除。

2025年全球电子元器件分销商Top50 （2025 Top 50 Global Electronics Distributors List） 1、艾睿电子(美国，Arrow Electronics, Inc.，www.arrow.com)； 2、大联大(中国台湾省，WPG Holdings LTD，www.wpgholdings.com)； 3、安富利(美国，Avnet Inc.，www.avnet.com)； 4、西科国际(美国，WESCO International, Inc.，www.wesco.com)； 5、美德电子(美国，TTI, Inc.，www.ttii.com)； 6、富昌电子(加拿大，Future Electronics，www.futureelectronics.cn)； 7、得捷电子(美国，Digi-Key Electronics，www.digikey.com)； 8、恩费氏电子元器件(美国，Smith，smithweb.com)； 9、NewPower Worldwide(美国，newpowerww.com)； 10、Newark Farnell(英国，www.newark.com)； 11、DAC/赫联电子(美国，DAC/Heilind，www.heilind.com)； 12、master Electronics(美国，www.masterelectronics.com)； 13、Win Source(中国，Win Source Electronics GmbH，www.win-source.net)； 14、FDH Electronics(美国，electronics.fdhaero.com)； 15、Bisco industries(美国，www.biscoind.com)； 16、欧时集团(英国，RS Group formerly Allied Electronics & Automation，www.rsonline.com)； 17、罗彻斯特电子(美国，Rochester Electronics，www.rocelec.com)； 18、特美意电子(波兰，Transfer Multisort Elektronik (TME)，www.tme.eu)； 19、柏威尔电子(美国，Powell Electronics Inc.，www.powell.com)； 20、倍捷连接器(美国，PEI-Genesis，www.peigenesis.com)； 21、联创杰(中国，Shenzhen Unibetter Technology Co.,Ltd.，www.unibetter-ic.com)； 22、深圳市胜誉电子科技有限公司(中国，Shenzhen Shengyu Electronics Technology Limited)； 23、理查森电子(美国，Richardson Electronics，www.rell.com)； 24、瑞德科技(美国，Rand Technology，randtech.com)； * ARS Electronics(美国，ARS Electronics Company Ltd.，arselectronics.com)； 25、池普一(德国，Chip 1 Exchange，www.chip1.com)； 26、Galco Industrial Electronics, Inc.(美国，www.galco.com)； 27、Astute Electronics(英国，Astute Electronics Ltd.，www.astutegroup.com)； 28、新汉科技(中国，Flyking Technology Co., Ltd.，www.flykingtech.com)； *艾朗特思(法国，Alantys Technology，www.alantys.com)； 29、芯盛科技(中国香港，ICSOLE TECHNOLOGY LIMITED，icsole.com)； 30、创实科技有限公司(中国香港，Cytech Systems Limited，www.cytechsystems.com)； 31、Flame Enterprises(美国，www.flamecorp.com)； 32、Ozdisan Elektronik A.S. (土耳其，ozdisan.com)； 33、Hughes-Peters(美国，www.hughespeters.com)； 34、Marsh Electronics, Inc.(美国，www.marshelectronics.com)； 35、 Flip Electronics(美国，www.flipelectronics.com)； 36、Ample Solutions(新加坡，ampleglobal.com)； 37、Steven Engineering(美国，stevenengineering.com)； 38、Rebound Group(英国，reboundeu.com)； 39、安格利亚元器件(中国香港，Anglia Components, Ltd. ，www.anglia-china.com)； 40、 All Tech Electronics, Inc.(美国，alltechelectronics.com)； 41、格拉西克(美国，Classic Components Corp.，www.class-ic.com)； 42、Brevan Electronics(美国，www.brevan.com)； 43、Falcon Electronics(罗马尼亚，www.falcon.ro)； 44、Air Electro Inc.(美国，www.airelectro.com)； 45、Area51 Electronics(美国，area51esg.com)； 46、IBS Electronics Inc.(美国，www.ibselectronics.com)； 47、NASCO(美国，NASCO AEROSPACE & ELECTRONICS，nascosales.com)； 48、特华娇（香港）科技有限公司(中国香港，THJ (HK) Technology Limited)； 49、Freedom(美国，Freedom USA，freedomusa.com)； 50、Supreme Components International Pte Ltd.(新加坡，www.supremecomponents.com)； 2025年电子元器件分销商（女性掌舵）Top20 (2025 Top 20 Woman Owned Electronics Distributors List) 1、瑞德科技(美国，Rand Technology，randtech.com)； 2、Brevan Electronics(美国，www.brevan.com)； 3、Falcon Electronics(罗马尼亚，www.falcon.ro)； 4、Edge Electronics(美国，Edge Electronics, Inc., www.edgeelectronics.com)； 5、Marine Air(美国，Marine Air Supply，marineairsupply.com)； 6、Perfect Parts Corporation(美国，www.perfectelectronicparts.com)； 7、M3 Technology(美国，www.m3-tec.com)； 8、Powertech Controls(美国，Powertech Controls Co., Inc.，www.powertechcontrols.com)； 9、March Electronics(美国，marchelectronics.com)； 10、Nexgen Micro Electronics(美国，Nexgen Digital Inc.，nexgenmicro.com)； 11、Silver State Wire(美国，Silver State Wire & Cable Inc.，www.silverstatewire.com)； 12、IEC(美国，Inland Empire Components, Inc.，iecsolutions.com)； 13、Serendipity Electronics(美国，serendipityelectronics.com)； 14、Spirit Electronics(美国，spiritelectronics.com)； 15、Taw Electronics(美国，TAW Electronics, Inc.，tawelectronics.com)； 16、Dayton Nut & Bolt(美国，Dayton Nut&Bolt Company Inc，daytonnutandbolt.com)； 17、Defense Suppliers(美国，Defense Suppliers of Electronic Components，defsup.com)； 18、ES Components(美国，Eastern States Components，www.escomponents.com)； 19、ABC(美国，Amidon, Inc，amidoninc.com)； 20、Component Solutions, Inc.(美国，www.component-solutions.com)。 2025电子元器件独立分销商Top25 （2025 Top 25 Independent Electronics Distributors List） 1、恩费氏电子元器件(美国，Smith，smithweb.com)； 2、NewPower Worldwide(美国，newpowerww.com)； 3、瑞德科技(美国，Rand Technology，randtech.com)； 4、Velocity Electronics(美国，Velocity Electronics Corp.，velocityelectronics.com)； 5、Flip Electronics(美国，www.flipelectronics.com)； 6、搜芯易(美国，Sourceability North America, LLC，sourceability.com)； 7、格拉西克(美国，Classic Components Corp.，www.class-ic.com)； 8、艾买克国际贸易(美国，A2 Global Electronics + Solutions，www.a2globalelectronics.com)； 9、Direct Components, Inc.(美国，www.directics.com)； 10、Freedom(美国，Freedom USA，freedomusa.com)； 11、CTG (美国，Crestwood Technology Group, LLC.，www.ctg123.com)； 12、CTrends(美国，ctrends.com)； 13、Microchip USA(美国，www.microchipusa.com)； 14、Perfect Parts Corporation(美国，www.perfectelectronicparts.com)； 15、ASAP Semi(美国，ASAP Semiconductor LLC，www.asapsemi.com)； 16、Megastar Electroniques Inc.(加拿大，www.megastar.com)； 17、Abacus Technologies(美国，Abacus Technologies, Inc.，www.abacuselect.com)； 18、4 Star Electronics(美国，4 Star Electronics, Inc.，www.4starelectronics.com)； 19、ETS(美国，E.T.S Group, Inc.，etsgi.com)； 20、Serendipity Electronics(美国，serendipityelectronics.com)； 21、Electronic Expediters(美国，Electronic Expediters, Inc.，www.expediters.com)； 22、Chip Stock LLC(美国，chipstock.com)； 23、NetSource Technology(美国，www.nstechnology.com)； 24、VRG(美国，VRG Components, Inc. ，vrgcomponents.com)； 25、IEC(美国，Inland Empire Components, Inc.，iecsolutions.com)。 2025北美元器件授权分销商Top50 （2025 Top 50 (Authorized) North American Electronics Distributors List） 1、艾睿电子(美国，Arrow Electronics, Inc.，www.arrow.com)； 2、大联大(中国台湾省，WPG Holdings LTD，www.wpgholdings.com)； 3、安富利(美国，Avnet Inc.，www.avnet.com)； 4、西科国际(美国，WESCO International, Inc.，www.wesco.com)； 5、美德电子(美国，TTI, Inc.，www.ttii.com)； 6、富昌电子(加拿大，Future Electronics，www.futureelectronics.cn)； 7、得捷电子(美国，Digi-Key Electronics，www.digikey.com)； 8、Newark Farnell(英国，www.newark.com)； 9、DAC/赫联电子(美国，DAC/Heilind，www.heilind.com)； 10、master Electronics(美国，www.masterelectronics.com)； 11、FDH Electronics(美国，electronics.fdhaero.com)； 12、Bisco industries(美国，www.biscoind.com)； 13、欧时集团(英国，RS Group，www.rsonline.com)； 14、罗彻斯特电子(美国，Rochester Electronics，www.rocelec.com)； 15、柏威尔电子(美国，Powell Electronics Inc.，www.powell.com)； 16、倍捷连接器(美国，PEI-Genesis，www.peigenesis.com)； 17、理查森电子(美国，Richardson Electronics，www.rell.com)； 18、Galco Industrial Electronics, Inc.(美国，www.galco.com)； 19、Flame Enterprises(美国，www.flamecorp.com)； 20、Hughes-Peters(美国，www.hughespeters.com)； 21、Marsh Electronics, Inc.(美国，www.marshelectronics.com)； 22、Steven Engineering(美国，stevenengineering.com)； 23、All Tech Electronics, Inc.(美国，alltechelectronics.com)； 24、ADI/American Distributors(美国，ADI American Distributors LLC，americandistr.com)； 25、Brevan Electronics(美国，www.brevan.com)； 26、Falcon Electronics(罗马尼亚，www.falcon.ro)； 27、Air Electro Inc.(美国，www.airelectro.com)； 28、Area51 Electronics(美国，area51esg.com)； 29、IBS Electronics Inc.(美国，www.ibselectronics.com)； 30、NASCO(美国，NASCO AEROSPACE & ELECTRONICS，nascosales.com)； 31、Edge Electronics(美国，Edge Electronics, Inc., www.edgeelectronics.com)； 32、March Electronics(美国，marchelectronics.com)； 33、Diverse Electronics(加拿大，Diverse Electronics Inc.，www.diverseelectronics.com)； 34、Benchmark Connector(美国，Benchmark Connector Corporation，www.benchmarkconnector.com)； 35、Marine Air(美国，Marine Air Supply，marineairsupply.com)； 36、Agility EMS(美国，agilityems.com)； 37、Sonicare Solutions(美国，Sonicare Solutions Inc.，sonicaresolutions.com)； 38、Kensington Electronics Inc.(美国，www.keiconn.com)； 39、Advantage Electric Supply(美国，www.advantageelectricsupply.com)； 40、Jameco Electronics(美国，www.jameco.com)； 41、Elna Magnetics(美国，elnamagnetics.com)； 42、Peerless Electronics inc.(美国，peerlesselectronics.com)； 43、Beyond Components(美国，Beyond Components, LLC.，www.beyondcomponents.com)； 44、PUI(美国，Projections Unlimited, Inc.，shoppui.com)； 45、Powertech Controls(美国，Powertech Controls Co., Inc.，www.powertechcontrols.com)； 46、Suntsu Electronics, Inc.(美国，suntsu.com)； 47、Microwave Components, LLC(美国，mwc-llc.com)； 48、Nexgen Micro Electronics(美国，Nexgen Digital Inc.，nexgenmicro.com)； 49、Megastar Electroniques Inc.(加拿大，www.megastar.com)； 50、CE3S(美国，Cumberland Electronics Strategic Supply Solutions, Inc.，ce3s.productionsupplystore.com)； 2025欧洲元器件分销商排行榜 （Top European Distributors 2025 List） 1、Win Source(中国，Win Source Electronics GmbH，www.win-source.net)； 2、4Source(德国，4Source Electronics AG，www.4source.de)； 3、Acte(瑞典，Acte A/S，acte.biz)； 4、艾朗特思(法国，Alantys Technology，www.alantys.com)； 5、安格利亚元器件(中国香港，Anglia Components, Ltd. ，www.anglia-china.com)； 6、Astute Electronics(英国，Astute Electronics Ltd.，www.astutegroup.com)； 7、Atlantik Elektronik(德国，Atlantik Elektronik GmbH，www.atlantikelektronik.com)； 8、Beck(德国，Beck Group，www.beck-elektronik.de)； 9、Bürklin(德国，Bürklin GmbH & Co. KG，www.buerklin.com)； 10、CCI Europe(德国，CCI Europe GmbH，www.cci-europe.de)； 11、Ceptronic(德国，Ceptronic GmbH，ceptronic.com)； 12、池普一(德国，Chip 1 Exchange，www.chip1.com)； 13、Chip Germany(德国，Chip Germany GmbH，en.chip-germany.com)； 14、Codico(澳大利亚，Codico GmbH，www.codico.com)； 15、Conrad(德国，Conrad Electronic International GmbH & Co. KG，www.conrad.com)； 16、Diotec Semiconductor(德国，Diotec Semiconductor AG，diotec.com)； 17、Dis Tec(德国，DIS-TEC GmbH & Co. KG，www.dis-tec.de)； 18、EBV Elektronik, an Avnet Company(美国，my.avnet.com/ebv)； 19、Elmos(德国，Elmos Semiconductor SE，www.elmos.com)； 20、EU Automation(美国，EU Automation International Ltd，www.euautomation.com)； 21、Farnell Electronics, an Avnet Company(英国，Premier Farnell Limited.，www.farnell.com)； 22、GLYN(德国，GLYN GmbH & Co. KG，www.glyn.com)； 23、Ineltro(澳大利亚，Ineltro Electronics GmbH，www.ineltro.eu)； 24、IEC Electronics(英国，International Electronic Centre Ltd.，www.iecentre.uk)； 25、Macnica(日本，Macnica, Inc.，www.macnica.com)； 26、Memphis(德国，Memphis Electronic GmbH，www.memphis.de)； 27、MEV(德国，MEV Elektronik Service GmbH，www.mev-elektronik.com)； 28、Milexia Group(法国，milexia.com)； 29、Ozdisan Elektronik A.S. (土耳其，ozdisan.com)； 30、Rebound Group(英国，reboundeu.com)； 31、Rehag Elektronik(德国，Rehag Elektronik GmbH，rehag-elektronik.de)； 32、RS(德国，RS Components GmbH，de.rs-online.com)； 33、儒卓力(德国，Rutronik Elektronische Bauelemente GmbH，www.rutronik.com)； 34、Schukat(德国，Schukat electronic Vertriebs GmbH，shop.schukat.com)； 35、Taurus Europe(荷兰，Taurus Europe BV，tauruseu.com)； 36、特美意电子(波兰，Transfer Multisort Elektronik (TME)，www.tme.eu)； 37、Topas(德国，Topas Electronic AG，www.topas.de)； 38、TouchNetix(挪威，www.touchnetix.com)； 39、TRG Components(美国，www.trgcomp.com)； 40、美德电子(美国，TTI, Inc.，www.ttieurope.com)。 免责声明：本文采摘自"ittbank"，仅代表作者个人观点，如有侵权请联系我们删除。

今天整理一个半导体耗材：溅射靶材的供应商数据统计 说实话，这个领域在国内已经非常成熟了，国产靶材的销售量可能已经全球最高了，只是在部分高端靶材领域还受进口限制 未来这个行业的发展机会应该在上游的高纯金属粉末、原材料 以下信息来自于DeepSeek： 溅射靶材是一种用于物理气相沉积（PVD）技术中的关键材料，主要用于在基材表面沉积薄膜。其原理是通过高能粒子（如离子）轰击靶材表面，使靶材原子或分子溅射出来，并沉积到目标基板上形成均匀薄膜。以下是溅射靶材的基本介绍： 1. 组成与分类 金属靶材：如铝（Al）、铜（Cu）、钛（Ti）等，用于导电层、金属镀膜等。 合金靶材：如钛铝（Ti-Al）、镍铬（Ni-Cr）等，满足特定导电性或耐腐蚀性需求。 陶瓷靶材：如氧化铟锡（ITO，用于透明导电膜）、氮化钛（TiN，用于硬质涂层）等。 高纯度靶材：半导体行业常用（如99.999%纯度的硅、钽等）。 2. 制造工艺 靶材通常通过粉末冶金、熔融铸造或热压等工艺制备，要求高纯度、高密度和均匀的微观结构。部分复杂形状靶材需精密加工。 3. 主要应用领域 半导体：制造集成电路中的金属互连层、阻挡层（如铜、钽）。 平板显示：ITO靶材用于液晶显示器（LCD）、OLED的透明电极。 太阳能电池：沉积透明导电膜或背电极（如铝、银）。 光学镀膜：制备增透膜、反射膜（如SiO?、TiO?）。 工具涂层：氮化钛（TiN）等用于提高刀具硬度与耐磨性。 4. 性能要求 高纯度：杂质可能影响薄膜性能（如半导体漏电）。 高密度：减少溅射过程中的颗粒飞溅和孔隙。 均匀性：确保薄膜厚度与成分一致。 结合强度：靶材与背板需紧密贴合以提升散热效率。 5. 发展趋势 新型材料开发：如高熵合金靶材、低电阻氧化物靶材。 大尺寸靶材：适应半导体晶圆和显示面板的大面积镀膜需求。 环保要求：减少稀有金属（如铟）依赖，推动回收技术。 溅射靶材是微电子、光电子等高端制造领域的核心材料，其性能直接决定薄膜器件的质量和效率。随着技术进步，靶材的多样性和应用场景持续扩展。 免责声明：本文采摘自"ittbank"，仅代表作者个人观点，如有侵权请联系我们删除。

中国的IC芯片行业在近年来取得了显著进展，涌现出了一批优秀的IC芯片公司。这些公司不仅在国内市场占据重要地位，还在国际舞台上崭露头角。 其中，中芯国际作为全球领先的集成电路晶圆代工企业之一，以其先进的技术和规模庞大的生产能力，成为了中国IC芯片行业的佼佼者。海思半导体作为华为的子公司，也在芯片设计领域取得了卓越成就，特别是在智能手机处理器和5G芯片方面。 此外，还有一些其他优秀的IC芯片公司，如联发科、紫光展锐等，它们在不同的细分领域发挥着重要作用，推动了整个行业的发展。这些公司不仅注重技术创新和产品质量，还积极开拓国际市场，提升了中国IC芯片行业的国际竞争力。 随着科技的不断进步和应用领域的不断拓展，中国的IC芯片行业将迎来更加广阔的发展前景。 免责声明：本文采摘自"ittbank"，本文仅代表作者个人观点，不代表金航标及行业观点，如有侵权请联系我们删除。

1. A100：数据中心AI计算的奠基石 A100是英伟达2020年发布的旗舰级数据中心GPU，基于Ampere架构，主要特性包括： 架构：Ampere CUDA核心数：6912 Tensor核心：432 显存：40GB/80GB HBM2e 带宽：1.6TB/s NVLink支持：可连接多个GPU以扩展算力 应用场景：深度学习训练、推理、科学计算、大规模数据分析 A100可广泛应用于高性能计算（HPC）和深度学习任务，适用于需要大量计算资源的企业级用户。 2. H100：性能提升的算力王者 H100是A100的升级版，采用更先进的Hopper架构，相比A100提升了数倍的计算性能，主要特性包括： 架构：Hopper CUDA核心数：16896 Tensor核心：528 显存：80GB HBM3（带宽高达3.35TB/s） NVLink支持：支持高带宽互联 Transformer Engine：专门优化AI大模型训练，如GPT-4 应用场景：大规模AI训练、HPC、企业级AI推理 H100特别适用于大型AI模型训练，比如Llama、GPT、Stable Diffusion等，可以大幅提升训练效率。 3. A800 & H800：中国市场专供版 A800和H800是英伟达专为中国市场推出的受限版GPU，以符合美国的出口管制要求： A800：基于A100，限制了NVLink互联带宽，适合AI推理和训练 H800：基于H100，限制了带宽，但仍然保留了较高的计算能力，适用于大型AI训练 这些GPU主要面向中国客户，如阿里云、腾讯云、百度云等云计算厂商，性能稍逊于A100和H100，但仍然具备极高的计算能力。 4. H20：新一代受限算力GPU H20是英伟达为中国市场设计的新一代受限版H100，预计将取代H800： 架构：Hopper 显存：未知（预计64GB+） 带宽：受限 计算性能：介于A800和H800之间 H20仍然具备强大的算力，适用于AI训练和推理，但具体性能指标需等待正式发布后确认。 二、如何搭建自己的算力中心？ 如果你想搭建自己的算力中心，无论是用于AI训练，还是进行高性能计算，都需要从以下几个方面考虑： 1. 确定算力需求 首先需要明确你的算力需求： AI训练：大规模深度学习训练（如GPT、Transformer）推荐H100或H800 AI推理：推荐A100、A800，推理对带宽要求较低 科学计算 & HPC：H100最优，A100次之 中小规模计算：可以考虑A800、H800或H20 2. 选择GPU服务器 你可以选择以下方式搭建你的GPU算力中心： 单机GPU服务器： 适合中小企业或个人开发者 选择如 DGX Station A100/H100，单机最多4-8张GPU GPU集群： 适合企业级部署 可使用 DGX A100/H100 服务器，支持多台GPU互联 通过InfiniBand和NVLink构建大规模集群 3. 搭配高性能计算环境 CPU：推荐使用AMD EPYC 或 Intel Xeon 服务器级CPU 内存：建议最低256GB，AI训练需要大量内存 存储：SSD + 高速NVMe存储（如1PB级别） 网络：支持InfiniBand和100GbE以上高速网络 4. 软件环境搭建 操作系统：Ubuntu 20.04 / 22.04 LTS，或基于Linux的服务器环境 驱动与CUDA：安装最新的NVIDIA驱动，CUDA 11+（H100支持CUDA 12） AI框架： PyTorch / TensorFlow NVIDIA Triton 推理服务器 cuDNN / TensorRT 如果对数据隐私和持续算力需求较高，建议选择本地搭建GPU集群。 三、训练场景 vs 推理场景 在AI训练（Training）和AI推理（Inference）场景下，不同GPU的性能表现存在明显差异。主要区别体现在计算精度、带宽需求、显存优化以及核心架构等方面。以下是详细对比： 训练 vs. 推理：性能对比 image 训练 vs. 推理：性能解析 1. 计算精度（数值格式） 在AI计算中，不同的数值格式影响计算速度和精度： 训练 需要高精度计算（如 FP32、TF32、FP16） 推理 需要低精度计算（如 INT8、FP16），以提升计算吞吐量 数值格式 适用场景 精度 计算速度 备注 FP32 AI训练 高 慢 经典浮点计算格式 TF32 AI训练 较高 快 H100支持，兼顾速度和精度 FP16 训练 & 推理 中 快 适合加速AI计算 INT8 AI推理 低 极快 适用于部署阶段，提高吞吐量 H100 特别优化了 Transformer Engine，在 FP8/FP16 下可大幅提升 AI 训练和推理性能，适用于 LLM（大语言模型）如 GPT-4。 2. 显存带宽 训练任务 通常需要处理大规模数据，因此高显存带宽至关重要： H100（HBM3，3.35TB/s） → 训练速度比 A100 快 2-3 倍 A100（HBM2e，1.6TB/s） → 适合标准 AI 任务 H800/A800 由于带宽受限，训练效率比 H100 低 推理任务 一般不需要大带宽，因为： 数据已训练完成，只需加载模型进行计算 推理更关注 吞吐量（TPS） 和 延迟（Latency） 3. 并行计算 & 计算核心优化 AI训练 依赖 矩阵计算（Tensor Cores），需要强大的 FP16/TF32 计算能力 AI推理 需要高效的 INT8/FP16 计算，以提高吞吐量 在计算核心优化上： GPU型号 训练核心优化 推理核心优化 A100 Tensor Core优化，FP16/TF32 训练 支持 INT8，推理较强 H100 Transformer Engine ，优化LLM训练 INT8/FP8 计算，极高推理吞吐量 A800 限制版 Tensor Core 适用于中等推理任务 H800 Hopper架构优化 适用于大规模推理 H20 受限 Hopper架构 适用于中等推理任务 H100 在 Transformer-based AI 任务（如 GPT）中比 A100 快 6 倍，而推理吞吐量也更高。 小结 AI训练： 需要高带宽 + 高精度计算，推荐 H100/A100 及其变种 AI推理： 需要低延迟 + 高吞吐量，推荐 H100/H800/H20 H100 在Transformer模型训练 和 推理吞吐量 方面遥遥领先 A100/A800 仍然是中等预算下的优秀选择 未来，随着 H20 逐步普及，它可能成为中国市场AI训练和推理的首选。 四、算力中心投资成本估算 根据GPU型号，搭建算力中心的成本会有所不同： A100：单卡价格 ~$10,000 H100：单卡价格 ~$30,000 A800/H800：价格略低于A100/H100 H20：待定，但预计比H800便宜 一个基础的4张H100服务器可能需要20万-50万美元，而大型AI训练集群（如64张H100）则可能超过千万美元。 小结：如何选择合适的算力架构？ 预算有限？ 选择 A100、A800、H800 追求顶级算力？ 选择 H100 或 H800 云端还是本地？ 云端适合短期任务，本地适合长期需求 数据隐私？ 关键业务建议本地部署 附： 以太网 交换机 免责声明：本文采摘自“ittbank”，本文仅代表作者个人观点，不代表金航标及行业观点，只为转载与分享，支持保护知识产权，转载请注明原出处及作者，如有侵权请联系我们删除。

AI 产业链通常可分为上游基础层、中游技术层和下游应用层。 未来，是人工智能的时代，未来已来！你准备好了吗？ 免责声明：本文采摘自"ittbank"，本文仅代表作者个人观点，不代表金航标及行业观点，只为转载与分享，支持保护知识产权，转载请注明原出处及作者，如有侵权请联系我们删除。

根据CINNO ? IC Research最新发布的全球半导体设备行业研究报告显示，2024年全球半导体设备商半导体营收业务Top10营收合计超1,100亿美元，同比增长约10%。 CINNO ? IC Research统计数据表明，2024年全球半导体设备商半导体营收业务Top10营收合计超1,100亿美元，同比增长约10%。 2024年全球半导体设备厂商市场规模Top10与2023年的Top10设备商相同，前五排名无变化，荷兰公司阿斯麦（ASML）2024年营收超300亿美元，排名首位；美国公司应用材料（AMAT）2024年营收约250亿美元，排名第二；美国公司泛林（LAM）、日本公司Tokyo Electron（TEL）、美国公司科磊（KLA）分别排名第三、第四和第五；从营收金额来看，2024年前五大设备商的半导体业务的营收合计近900亿美元，约占比Top10营收合计的85%。 北方华创作为Top10中唯一的中国半导体设备厂商，2023年首次进入全球Top10，2024年排名由第八上升至第六。 图示：2024年全球半导体设备厂商市场规模排名Top10，来源：CINNO ? IC Research 注：(1)本排名汇率2024年1欧元=1.07美元，1日元=0.0065美元，(2)本次营收排名以上市公司半导体业务营收金额为依据，不含FPD/PCB等其他业务营收。 Top 1 阿斯麦（ASML）-荷兰 全球第一大光刻机设备商，同时也是全球唯一可提供7nm及以下先进制程的EUV光刻机设备商。2024年半导体业务营收同比增长1.3%。 Top 2 应用材料（AMAT）-美国 全球最大的半导体设备商，行业内的"半导体设备超市"，半导体业务几乎可贯穿整个半导体工艺制程，半导体产品包含薄膜沉积（CVD、PVD 等）、离子注入、刻蚀、快速热处理、化学机械平整（CMP）、测量检测等设备。2024年半导体业务营收同比增长5.3%。 Top 3 泛林（LAM）-美国 泛林又称拉姆研究，主营半导体制造用刻蚀设备、薄膜沉积设备以及清洗等设备。2024年半导体业务营收同比增长13.2%。 Top 4 Tokyo Electron（TEL）-日本 日本最大的半导体设备商，主营业务包含半导体和平板显示制造设备，半导体产品包含涂胶显像设备、热处理设备、干法刻蚀设备、化学气相沉积设备、湿法清洗设备及测试设备。2024年半导体业务营收同比增长17.0%。 Top 5 科磊（KLA）-美国 半导体工艺制程检测量测设备的绝对龙头企业，半导体产品包含缺陷检测、膜厚量测、CD量测、套准精度量测等量检测设备。2024年半导体业务营收同比增长15.8%。 Top 6 北方华创（NAURA）-中国 中国大陆的龙头半导体设备商，主营半导体装备、真空装备、电子元器件等，其半导体业务覆盖了刻蚀、沉积、清洗等主要半导体制造设备，预计2024年半导体业务营收增长39.4%。 Top 7 迪恩士（Screen）-日本 主营业务包含半导体、平板显示和印刷电路板制造设备，半导体产品包含刻蚀、涂胶显影和清洗等设备。2024年半导体业务营收同比增长22.4%。 Top 8 爱德万测试（Advantest）-日本 主营半导体测试和机电一体化系统测试系统及相关设备，半导体产品包含后道测试机和分选机。2024年半导体业务营收同比增长32.3%。 Top 9 ASM国际（ASMI）-荷兰 主营业务包括半导体前道用沉积设备，产品包含薄膜沉积及扩散氧化设备。2024年半导体业务营收同比增长10.1%。 Top 10 迪斯科（Disco）-日本 全球领先的晶圆切割设备商，主营半导体制程用各类精密切割，研磨和抛光设备。2024年半导体业务营收同比增长23.5%。 免责声明：本文采摘自"ittbank"，本文仅代表作者个人观点，不代表金航标及行业观点，只为转载与分享，支持保护知识产权，转载请注明原出处及作者，如有侵权请联系我们删除。

摘要： 近日，博通发布财报业绩，2024财年公司AI收入增长220%，达到122亿美元。受此消息提振，周五博通股价大涨24.4%，成为继英伟达、台积电之后，全球第三家市值过万亿美元的半导体公司。 随着人工智能对算力提出更高的要求，传统的CPU架构难以满足，因此具有海量数据并行计算能力、能加速计算处理的AI算力芯片应运而生，根据技术架构，AI芯片主要分为三类：GPU、ASIC、FPGA。 GPU和FPGA是比较成熟的通用性芯片。ASIC与GPU芯片相比，ASIC的单位算力成本更低，满足一定的降本需求。因其成本较低，功耗也更低，展现出了更高的性价比。 一、什么是ASIC芯片？ ASIC，英文全称：Application-Specific Integrated Circuits, 即专用集成电路。是一种专用型芯片，针对特定用户要求和场景应用而设计，在特定任务上的计算能力强大，通常具有较高的能效比。 与FPGA相比，ASIC灵活性差、专用度高、但体积小、功耗低、计算性能更好。ASIC全球头部厂商为谷歌、博通、Marvell。 ASIC芯片可分为TPU、DPU、NPU： （1）TPU即张量处理器，专用于机器学习。 （2）DPU为数据中心等计算场景提供计算引警. （3）NPU即神经网络处理器，在电路层模拟人类神经元和突触，并用深度学习指令集处理数据。 AISC属于定制款芯片，因此性能更强、能耗更低，但研发门槛高、设计周期长，所以价格更贵，但大规模量产后成本显著降低。 二、市场规模: AI ASIC具备功耗、成本优势，目前仍处于发展初期，市场规模有望高速增长。目前ASIC在AI加速计算芯片市场占有率较低，预计增速快于通用加速芯片。据Marvell预测，2023年，定制芯片仅占数据中心加速计算芯片的16%，其规模约66亿美元，预计2028年数据中心定制加速计算芯片规模有望超400亿美元。 ASIC单卡算力与GPU仍有差距，但单卡性价比和集群算力效率优秀。ASIC中算力相对较高的谷歌TPU v6和微软Maia 100算力约为H100非稀疏算力的90%、80%，同时ASIC的单价显著低于GPU，故而在推理场景呈现更高的性价比；ASIC的芯片互联以PCIe协议为主，处于追赶状态，NVLink协议更具优势；在服务器互联方面，ASIC主要采用以太网，正追平英伟达的IB网络，目前H100集群可以做到10万卡规模，ASIC中谷歌TPU相对更为领先，TPU v5p单个Pod可达8960颗芯片，借助软件能力，TPUv5e可拓展至5万卡集群，且保持线性加速。由于ASIC专为特定场景设计，且云厂商对软件生态掌握程度也较高，ASIC集群的算力利用率实际可能高于GPU（如TPU、MTIA等）。 软件生态也是影响AI计算能力的重要因素，当前CUDA生态占据主导，ASIC软件生态有望逐步完善。云厂商普遍具备较强的研发能力，均为AI ASIC研发了配套的全栈软件生态，开发了一系列的编译器、底层中间件等，提升ASIC在特定场景下的计算效率。此外，一些商用芯片厂商也推出了开源平台，如ROCm和oneAPI，未来ASIC的软件生态将会愈发成熟、开放。 三、投资建议： ASIC针对特定场景设计，有配套的通信互联和软件生态，虽然目前单颗ASIC算力相比最先进的GPU仍有差距，但整个ASIC集群的算力利用效率可能会优于可比的GPU，同时还具备明显的价格、功耗优势，有望更广泛地应用于AI推理与训练。我们看好ASIC的大规模应用带来云厂商ROI提升，同时也建议关注定制芯片产业链相关标的。 四、风险提示：AI算法技术风险、生态系统建设不及预期、芯片研发不及预期、AI产业发展不及预期 目录 免责声明：本文采摘自"ittbank"，本文仅代表作者个人观点，不代表金航标及行业观点，只为转载与分享，支持保护知识产权，转载请注明原出处及作者，如有侵权请联系我们删除。

上海 中芯国际：总部位于上海，在上海拥有多个晶圆厂，涵盖不同技术节点，是国内领先的晶圆代工企业。中芯国际致力于提供集成电路晶圆代工与技术服务，推动中国半导体产业的发展。 华虹半导体：在上海金桥和张江建有三座8英寸晶圆厂，提供多种技术节点的可定制工艺选项，包括模拟与电源管理等特色工艺技术。华虹半导体在半导体领域具有深厚的技术积累和丰富的产品线。 台积电：在上海拥有一座8英寸晶圆厂，是台积电在大陆的重要生产基地之一。台积电作为全球领先的晶圆代工企业，其上海厂也秉承了高质量、高效率的生产标准。 格科半导体：在上海临港有一个12英寸晶圆厂，专注于CIS（CMOS图像传感器 ）集成电路的研发与产业化。格科半导体在图像传感器领域具有显著的技术优势和市场地位。 鼎泰匠芯：中国第一座12寸车规级半导体晶圆厂，专注于车规级功率器件的生产。鼎泰匠芯的成立进一步提升了中国在半导体高端制造领域的实力。 积塔半导体：前身为上海飞利浦半导体公司，后被上海积塔半导体有限公司吸收合并。积塔半导体拥有8英寸等值晶圆年产能，是国内重要的半导体制造企业之一。 新微半导体：在射频、功率和光电三大应用领域具有代工厂资质，其二期项目成功落地上海临港新片区，进一步扩展了其生产能力。是化合物半导体晶圆代工企业，为客户提供高质量的化合物半导体产品。 上海先进半导体制造有限公司：该公司成立于1988年，是一家从事计算机、通信和其他电子设备制造业的企业，在半导体制造领域具有丰富经验和技术实力。 上海新进半导体制造有限责任公司：拥有5英寸、6英寸、8英寸晶圆生产线，专注于模拟电路、功率器件制造，为客户提供高质量的半导体产品。作为半导体制造行业的一员，该公司在上海设有生产基地，致力于半导体产品的研发和生产。 广州 粤芯：广州粤芯半导体技术有限公司（Guangzhou CanSemi Technology Inc.），成立于2017年，位于广东省广州市，是广东省本土自主创新的"国家高新技术企业"，也是粤港澳大湾区全面进入量产的12 英寸芯片制造企业[1]。董事长陈谨。粤芯半导体是广东省本土自主创新企业，也是目前粤港澳大湾区首家且唯一进入量产的12英寸晶圆制造企业。粤芯半导体一期项目于2018年3月动工、2019年9月建成投产、2020年12月实现满产运营，二期项目新增月产能2万片，技术节点将延伸至55nm工艺。去年11月，陈卫曾透露，三、四期投产后，力争在2025年底达到12万片的月产能。 增芯：增芯国内首条12英寸智能传感器晶圆制造产线项目。该项目位于增城经济技术开发区核心区，一期投资70亿元，建设月加工能力达2万片的12英寸MEMS制造生产线。预计今年底实现产品交付客户，增芯是在增城落地的第一家芯片制造企业，其12英寸先进智能传感器及特色工艺晶圆制造产线项目是广东省、广州市重点项目，对增城乃至广州、广东集成电路产业发展具有重要意义。 走进增芯项目主厂房参观通道，可直观了解芯片制造生产过程。芯片制造对洁净环境要求非常高，记者在现场看到，包括光刻机、干法刻蚀机等在内的晶圆加工设备以及各种检测和测试设备有序摆放，整个操作车间一尘不染，工作人员身穿洁净服进行操作。目前项目一期洁净间面积达1.6万平方米，预计2025年底能达到月产2万片的目标。 芯粤能：芯粤能碳化硅芯片项目分两期进行，规划建设年产24万片6英寸和24万片8英寸碳化硅芯片生产线。项目一期达产年产值40亿元，二期达产后合计年产值将达100亿元，将极大缓解当前国产车规级碳化硅芯片紧缺的现状。芯粤能晶圆厂厂长邵永华此前在接受媒体采访时透露，目前工厂正在进行产能爬坡，预计在2024年底，实现年产24万片6英寸碳化硅芯片的规划产能。 芯聚能：位于广州市南沙区，芯聚能主营碳化硅基和硅基功率半导体器件及模块，为客户提供高性能的功率半导体产品。 深圳 中芯国际：在深圳，2022年以来，中芯国际12英寸集成电路生产线项目、华润微大湾区12英寸先进工艺集成电路生产线已被写进了《深圳市2022年重大项目计划安排情况》中。 2021年3月，中芯国际才宣布将在深圳投资建厂，建设起止年限为2021-2025年，项目投资额约为23.5亿美元（约合152.8亿元人民币），旨在生产28nm及以上工艺的集成电路和提供技术服务，计划将实现月产4万片12英寸晶圆的产能。但中芯国际深圳代工厂最早也要2022年下半年才能开始量产，且初期也达不到4万片的月产能。 本项目产品定位于12英寸28nm及以上线宽显示驱动芯片及电源管理芯片等，天眼查显示，中芯国际集成电路制造(深圳)有限公司的主要股东为中芯国际控股有限公司（持股50%）、深圳市重大产业投资集团有限公司（持股23%）。 华润微（润鹏）：该项目拟建设12吋特色工艺集成电路生产线，。主要股东为华润微持股75%、深圳宝安产业资本运营有限公司（持股10%）、深圳市重大产业投资集团有限公司（持股9%）、深圳市引导基金投资有限公司（持股6%）。其中华润微电子（香港）有限公司通过其全资子公司华润微科技（深圳）有限公司持有润鹏半导体75%股权。 据了解，该项目一期总投资220亿元，聚焦40纳米以上模拟特色工艺，项目建成后，产品主要应用于汽车电子、新能源、工业控制、消费电子等领域。 昇维旭：DRAM厂商昇维旭是（"深圳国资"100%控股的企业。前台积电前厂长刘晓强出任昇维旭CEO。 将会从28nm制程切入DRAM制造，规划总产能14万片/月，第1期已在建造中，规划明年第3季引进机台设备，2024年第一季度试产。龙华区。 鹏芯微 ： 深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司成立于2021年6月，致力于满足"粤港澳大湾区"汽车电子、新能源、图像传感、智慧家庭、可穿戴设备等市场日益增长的芯片产能需求，向客户提供28nm/20nm技术节点的集成电路晶圆代工及配套服务。根据天眼查显示，其实控人为深圳市重大产业投资集团有限公司。位于龙岗区平湖街道。 鹏新旭：深圳市鹏新旭技术有限公司（以下简称"鹏新旭"）成立于2022年03月，实控人为深圳市深超科技投资有限公司（深圳市重大产业投资集团有限公司的全资子公司），鹏新旭聚焦40nm/28nm成熟逻辑工艺，代工工厂。坪山区，中芯深圳旁边。 深爱半导体：深圳深爱半导体股份有限公司成立于1988年，是由世界五百强企业——深投控下属单位赛格集团系统内的一家专业从事半导体功率器件芯片及产品的国有企业，是国家级的"高新技术企业"。目前，深爱半导体具备各类功率半导体器件的生产，已成为国内分立器件行业的主要企业。公司现有5英寸双极功率芯片生产线、5英寸MOS芯片生产线及6英寸MOS芯片生产线，同时公司封装线具备TO系列、SOT、SOP/DIP等封装形式的功率器件的规模生产能力。公司地址：深圳市龙岗区宝龙工业区 鹏进高科：成立于2022年4月，是重投集团的全资所属企业。据悉，该项目建设内容包括第三代半导体核心装备及零部件和配套材料技术攻关及第四代研究等、开放芯片研发及中试等平台、新能源汽车与轨道交通电驱动示范等应用。 英诺赛科（珠海）：英诺赛科是全球功率半导体革命的领导者， [2]也是全球最大的氮化镓芯片制造企业。公司采用IDM全产业链商业模式，并在全球范围内首次实现了先进的8英寸氮化镓量产工艺，是全球氮化镓行业的龙头企业。 江苏 SK海力士（无锡）：SK海力士是全球领先的半导体供应商之一，其在无锡的工厂是该公司的重要生产基地。该工厂专注于DRAM（动态随机存取存储器）等存储芯片的制造，拥有先进的生产技术和设备。 华润微电子（无锡）：华润微电子是中国领先的半导体企业，其无锡工厂在功率半导体、智能传感器等领域具有较强的研发和生产能力。 该工厂致力于推动中国半导体产业的自主可控和高质量发展。 华虹半导体（无锡）：华虹半导体是中国大陆领先的集成电路制造企业之一，其在无锡的工厂是华虹集团的重要生产基地。该工厂专注于特色工艺集成电路的研发和制造，包括嵌入式非易失性存储器、功率器件、模拟与混合信号等。 英飞凌（无锡）：英飞凌是全球领先的半导体解决方案提供商，其在无锡设有生产基地，专注于汽车电子、工业功率控制、智能卡和安全芯片等领域的芯片制造。 台积电南京厂：台积电是全球最大的半导体 制造公司，其在南京设有生产基地。台积电南京厂专注于先进制程的晶圆制造，为国内外客户提供高质量的芯片产品。该厂的建立不仅提升了江苏半导体产业的制造水平，也进一步推动了整个行业的发展。 和舰芯片（苏州）：和舰芯片是中国台湾省联华电子在苏州投资建设的Fab厂，专注于集成电路的制造。该厂拥有先进的制造设备和工艺技术，能够生产多种类型的芯片产品，满足不同客户的需求。 荣芯半导体: 成立于2021年4月，总部位于中国浙江省宁波市，是致力于成熟制程特色工艺的集成电路制造企业。荣芯半导体在江苏淮安和浙江宁波建有12英寸集成电路生产线；在北京、上海等地均设有子公司。荣芯半导体作为新兴foundry，坚持市场为导向的持续创新，坚持高效的民营机制，聚焦产品于图像传感器、显示驱动、功率器件、电源管理、代码型闪存等，着重成熟制程特色工艺，为中国半导体行业提供优秀的技术开发能力和12寸晶圆制造产能。 英诺赛科(苏州)半导体有限公司:英诺赛科于2015年12月成立，是一家专业从事新型第三代半导体材料、器件以及集成电路开发与制造的高科技公司，在全球首次实现了8英寸硅基氮化镓材料与器件的大规模量产。现有员工1500多人，全球专利累计超过700项，在珠海设有研发中心及生产基地，在苏州设有管理中心及大规模生产基地，在深圳设有应用研发中心，在南京、成都、上海、北京、中国台湾省、日本、韩国、欧洲、美国等国家及地区设有办事机构或代表处。打造一个集研发、设计、外延生长、芯片制造、测试与失效分析为一体的第三代半导体生产平台。 华芯杰创：成立于2023年8月，华芯杰创代工产品包括多种芯片，淮安项目预计总投资高达200亿元，展现出强劲的发展势头。 扬杰科技：作为国内少数集半导体产业链垂直一体化（IDM）的杰出厂商，扬杰科技在多个领域展现出卓越的研发和生产能力。 浙江 杭州士兰微电子股份有限公司：作为国内一家集成电路芯片设计与制造一体化企业（IDM），士兰微在晶圆制造方面具有优势，拥有多条芯片生产线，包括5英寸、6英寸、8英寸生产线，并在特色工艺上持续投入。 杭州富芯半导体 有限公司：作为浙江首条12英寸晶圆生产线项目，富芯半导体在高端模拟芯片领域具有重要地位，其产品面向汽车电子、人工智能、移动数码等领域。 杭州积海半导体有限公司：总部位于杭州钱塘区，积海半导体计划启动月产2万片12英寸集成电路制造项目，分两期建设，旨在满足市场对高性能集成电路的需求。 嘉兴海芯微项目：该项目总投资额为100亿元，将建成中国第一座拥有三维集成电路制造核心关键工艺的300毫米生产线。项目的成功将突破当前中国半导体行业发展的痛点，助力后摩尔时代集成电路产业持续发展。据说项目已停。 中芯宁波，全称为中芯集成电路(宁波)有限公司（简称"中芯宁波"），成立于2016年10月，总部位于浙江省宁波市北仑区。以下是对中芯宁波的详细介绍：中芯宁波由中芯国际、宁波胜芯科技和清芯华创发起设立，是中国最先进纯晶圆代工厂"中芯国际"的合资子公司。公司还得到了产业相关战略合作伙伴、业内投资基金和地方产投基金等联合投资。 中芯宁波的注册资本达到44.29亿元人民币，实缴资本为26.90亿元人民币。中芯宁波已规划和建设了多条具有业界先进技术水平的特种工艺集成电路晶圆制造产线。其中，位于小港装备产业园的8英寸N1产线已于2018年投产，位于芯港小镇的N2项目也已完成建设并投入生产。 芯联集成:是一家专注于功率、传感和传输应用领域，提供特色工艺集成电路芯片及模块封装的代工服务的企业。以下是对芯联集成的简要介绍： 成立于2018年，总部位于浙江绍兴。 公司在IGBT、MOSFET、SiC MOSFET等功率半导体器件方面拥有核心技术，产品性能达到国际先进水平。同时，公司在MEMS传感器领域也具有显著优势，是全球主要的MEMS晶圆代工厂之一。 荣芯半导体:成立于2021年4月，总部位于中国浙江省宁波市，在江苏淮安和浙江宁波建有12英寸集成电路生产线，计划形成月产20万片12英寸晶圆代工能力，年销售收入超300亿元的综合性集成电路制造平台。 福建 厦门联芯:联芯集成的主营业务是专注于为国内外客户提供12吋晶圆专工服务，提供40nm,28nm,22nm晶圆制造。联芯集成电路制造(厦门)有限公司(以下简称厦门联芯)为中国台湾省联华电子(以下简称联电)与厦门市人民政府及福建省电子信息集团合资成立的12英寸晶圆专工企业。项目总投资额为62亿美元，于2015年3月26日奠基动工，2016年11月正式营运与投产。目前联芯能同时提供28纳米POLYSION和HKMG工艺技术，且良率高达95%以上，成为了国内28纳米良率最高的12英寸晶圆厂。 士兰集科，即厦门士兰集科微电子有限公司。成立于2018年2月1日，总部位于福建省厦门市。公司由杭州士兰微电子股份有限公司与厦门半导体投资集团有限公司共同投资成立。士兰集科的主营业务是集成电路制造，特别是专注于功率半导体芯片和MEMS传感器的生产。公司拥有两条12吋芯片生产线，总投资达到170亿元人民币。公司建设的两条12吋芯片生产线中，第一条功率半导体芯片制造生产线已于2020年四季度正式通线投产，规划产能为8万片/月，总投资70亿元人民币。第二条芯片制造生产线投资100亿元人民币。 晋华，通常指的是福建省晋华集成电路有限公司（简称晋华集成电路，JHICC）。以下是对该公司的详细介绍：福建省晋华集成电路有限公司是由福建省电子信息集团、泉州市金融控股集团有限公司、福建省晋江产业发展投资集团有限公司等共同出资设立的先进集成电路生产企业。该公司是福建省首家集成电路领域的大型国有企业，致力于成为具有先进工艺与自主知识产权体系的集成电路内存（DRAM）制造企业。国际纠纷：晋华曾与美国芯片制造商美光科技公司发生法律纠纷。2018年，美国商务部以所谓"国家安全"为由把晋华列入"实体清单"。然而，在经历多年的法律斗争后，双方于2023年12月24日达成全球和解协议，撤销了相互之间的起诉。司法胜诉：2024年2月27日，美国旧金山地区法官裁定晋华无罪，不存在"经济间谍活动"，针对 该公司的其他刑事指控不成立。这一裁决为晋华在国际市场上的发展扫清了障碍。 三安光电：三安光电股份有限公司成立于2000年11月，是国内最早、规模最大、品质最好的全色系超高亮度LED外延及芯片产业化生产基地。公司坐落于厦门，是国家发改委批准的"国家高技术产业化示范工程"、国家科技部及信息产业部认定的"半导体照明工程龙头企业"、航天航空部确认的"战略合作伙伴"。SiC晶圆厂：三安光电旗下涉及SiC（碳化硅）生产的工厂分别位于长沙、泉州和重庆。这些工厂专注于SiC晶圆的生产，包括衬底、外延片的制作等。 福建省福联集成电路有限公司：成立于福建省莆田市，是福建省电子信息集团控股的专注于化合物半导体晶圆代工服务的国有控股企业，已建成一条具备量产能力的6英寸砷化镓射频芯片生产线。 厦门吉顺芯微电子有限公司，成立于2011年，隶属于中国台湾省友顺科技股份有限公司（UTC），是一家工艺能力最高为0.35um 6英寸的集成电路晶圆加工高科技企业。 湖北 长江存储：总部位于武汉，长江存储是专注于3D NAND闪存设计制造一体化的IDM集成电路企业，提供闪存晶圆、颗粒及全面的存储解决方案，助力数据存储行业的发展。 武汉新芯：成立于2006年，武汉新芯致力于40nm及以上工艺制程的12英寸NOR Flash、CIS和Logic晶圆代工业务，为客户提供专业的技术支持和服务。 楚兴：武汉楚兴技术有限公司成立于2022年，坐落于武汉市临空港经济技术开发区，专注于CIS制造领域，致力于为客户提供高质量的CIS芯片解决方案。 安徽 长鑫存储：位于安徽合肥，长鑫存储专注于DRAM的设计、研发、生产和销售，致力于打造国内领先的DRAM产业生态。 晶合集成：位于合肥市，晶合集成是安徽省首家12英寸晶圆代工企业，提供多种制程工艺服务，助力客户实现芯片制造的梦想。 四川&重庆 德州仪器半导体制造(成都)有限公司：位于四川省成都市郫都区科新路8号附10号。2010年，德州仪器在成都高新区收购成芯，并设立了首个在中国大陆的晶圆制造基地。此后数年，德州仪器持续增加在成都制造基地的投资，逐步将成都高新区建设成为德州仪器唯一集晶圆制造、凸点加工、封装测试和晶圆测试于一体的制造基地，并不断加大在中国的投资。 华虹集成电路（成都）有限公司：2023年8月华虹集成电路（成都）有限公司低调成立，根据最新工商登记信息，华虹成都注册资本为228亿人民币，根据公开招标信息华虹成都项目计划月产能30K片。接手烂尾"格芯"。 比亚迪成都产业园:2022年7月，比亚迪董事长王传福到访成都，成都市政府与比亚迪签署了战略合作协议。2022年12月30日，比亚迪以15.9亿元在西南联合产权交易所摘牌"成都市双流区黄甲街道综保横路168号成都空港国芯科技有限公司所属资产（在建工程）整体转让"。外界认为比亚迪接收成都工厂将有助于比亚迪扩大车规半导体的产能。接手烂尾-"成都紫光国芯存储科技有限公司" 重庆万国：是一家集成12英寸芯片和封装测试的功率半导体企业。2016年，重庆万国半导体项目由美国AOS，重庆战略新兴产业股权投资基金和重庆两江新区战略性新兴产业股权投资基金共同出资。2022年京东方入股，注册资本由39475.29万美元增加到42824.110435万美元。 华润微电子（重庆）有限公司：曾用名中航（重庆）微电子有限公司，成立于2007年，位于重庆市，是一家集功率半导体设计、研发、制造、销售为一体的IDM产品公司。 中国电科芯片研究院：2022年9月，电科芯片牵头组建了中电科汽车芯片技术发展研究中心，整合中国电子科技集团有限公司的相关优势资源，打造国内一流的汽车芯片技术创新策源地，贯通国产汽车芯片自主可控全产业链，支撑汽车芯片技术进步和产业化发展。中国电科整合下属24所、26所、44所、58所四家国家I类研究所研发资源，正式成立中国电科芯片技术研究院。由此，中电科技集团重庆声光电有限公司也更名为中电科芯片技术（集团）有限公司，与研究院一体化运行。 安意法：三安光电与意法半导体在重庆共同设立了安意法半导体有限公司，主要从事碳化硅外延、芯片的生产和销售。三安光电方面持有合资公司51%股权。 湖南 三安光电：三安长沙第三代半导体产业园在长沙高新区正式开工，项目总投资160亿元，总占地面积1000亩，建成达产后将形成超百亿元的产业规模，并带动上下游配套产业产值预计逾千亿元，打造世界级化合物功率芯片研发、制造与服务基地。 株洲中车时代半导体有限公司：1964年开始功率半导体技术的研发与产业化，2008年战略并购英国丹尼克斯公司，通过十余年持续投入和平台提升，已成为国际少数同时掌握大功率晶闸管、IGCT、IGBT及SiC器件及其组件技术的IDM(集成设计制造)模式企业代表，拥有芯片设计、制造—模块封装—测试—应用完整产业链，是中车集团乃至我国高端制造的亮丽名片代表之一。公司也是功率半导体与集成技术全国重点实验室、国家能源大功率电力电子器件研发中心的依托单位，中国IGBT技术创新与产业联盟理事长单位，湖南省功率半导体创新中心的牵头共建单位。 陕西 西安三星（中国）半导体有限公司：是三星电子的全资子公司，成立于2012年，总投资规模巨大，是三星电子海外投资历史上投资规模最大的项目之一，也是中国改革开放以来国内电子信息行业最大外商投资项目。 西安三星主要生产先进制程的12英寸NAND Flash芯片，这是一种广泛应用于智能手机、平板电脑、SSD固态硬盘等领域的存储芯片。 西安三星半导体项目已分为多期建设，包括一期、二期及正在进行的后续扩建项目。这些项目不仅提升了西安三星的生产能力，也巩固了其在全球NAND芯片市场的重要地位。目前，西安三星已成为全球最大的NAND芯片制造基地之一，其月产量和年产值均居行业前列。 美光半导体（西安）有限责任公司：成立时间：2006年05月31日，美光半导体（西安）有限责任公司是全球领先的半导体解决方案供应商美光科技在西安的重要生产基地，是陕西省重点外商投资企业之一。 龙腾半导体股份有限公司：龙腾8英寸功率半导体制造项目2022年10月正式投产，将形成年产8英寸硅外延片360万片的生产能力。 龙腾8英寸功率半导体制造项目属于西安龙威半导体有限公司，省级半导体及集成电路产业链"链主"企业，拥有西安省唯一8英寸外延片生产线，是西安省唯一集设计、研发、生产、制造、测试为一体的高功率半导体全产业链企业。该项目总建筑面积5.05万平方米，将购置引进外延炉、光刻机、注入机及测试仪器160台。项目建设先进功率半导体工程研究中心、可靠性工程实验室，可实现MOSFET、IGBT等功率半导体产品的进口替代。 北京 中芯国际：2020年7月31日，中芯国际与北京开发区管委会共同订立并签署《合作框架协议》，双方成立合资公司，建设新的12英寸晶圆厂，聚焦于生产28纳米及以上集成电路项目。该项目分两期建设，其中首期计划投资76亿美元，计划于2024年完工，首期计划最终达成每月约10万片的12英寸晶圆产能。 燕东微：总部位于北京，燕东微在北京、遂宁设有晶圆生产线，并正在建设北京12英寸晶圆厂，致力于推动国内半导体产业的发展。 山东 青岛芯恩：芯恩（青岛）集成电路有限公司成立于2018年4月，位于山东省青岛西海岸经济开发区。该公司专门从事半导体集成电路的设计与制造、技术研发、产业管理及投资运营。项目占地面积373亩，包括8英寸和12英寸的集成电路工厂及测试和光掩模板工厂。 济南富能半导体有限公司：2018年11月成立的济南富能半导体有限公司，专注于半导体行业，开发和生产半导体能源器件及芯片模组。该公司是2020年山东省重点扶持项目，坐落于济南的新旧动能转换示范区内的中德合作区，计划建设两个8英寸和一个12英寸的工厂，第一期工程投资60亿元，2020年开始试生产。 济南泉芯集成电路制造（济南）有限公司：成立于2019年1月29日，注册资本为59.5亿元，法定代表人为杨永波。公司主要从事半导体晶圆制造，拥有世界顶级技术团队，是山东省发改委重大项目之一?34。尽管项目初期投资高达598亿元，号称锁定7纳米芯片技术，但由于资金链断裂，项目最终未能完成? 辽宁 英特尔（大连）：英特尔在亚洲的第一家晶圆制造厂，大连厂目前专注于非易失性存储半导体的研发与制造，推动存储技术的创新与发展。 免责声明：本文采摘自"ittbank"，本文仅代表作者个人观点，不代表金航标及行业观点，只为转载与分享，支持保护知识产权，转载请注明原出处及作者，如有侵权请联系我们删除。

想要从零了解汽车电控IGBT模块，看这一篇就够了！根据乘联会数据，2022年6月新能源车国内零售渗透率27.4%，并且2022年6月29日欧盟对外宣布，欧盟27个成员国已经初步达成一致，欧洲将于2035年禁售燃油车。市场越来越景气，同时国内近期新发布的新能源车型也百花齐放。不论是普通消费者、新能源汽车产业相关从业者，还是一二级市场投资人，也逐渐深入关注研究新能源车的一些核心部件，尤其是功率器件IGBT模块，今天小编就用问答的形式给大家展开讲讲，希望能够用比较通俗的解释帮助到大家。 01、电驱系统和IGBT模块的作用要弄明白IGBT模块，就要先了解新能源汽车的电驱系统，先用一句话概括电驱系统如何工作：在驾驶新能源汽车时，电机控制器把动力电池放出的直流电（DC）变为交流电（AC）（这个过程即逆变），让驱动电机工作，电机将电能转换成机械能，再通过传动系统（主要是减速器）让汽车的轮子跑起来。反过来，把车轮的机械能转换存储到电池的过程就是动能回收。 1、什么是"三电系统"和"电驱系统"？ 三电系统，即动力电池（简称电池）、驱动电机（简称电机）、电机控制器（简称电控），也被人们成为三大件，加起来约占新能源车总成本的70%以上，是决定整车运动性能核心的组件。 电驱系统，我们一般简单把电机、电控、减速器，合称为电驱系统。 但严格定义上讲，根据进精电动招股说明书，电驱动系统包括三大总成：驱动电机总成（将动力电池的电能转化为旋转的机械能，是输出动力的来源）、控制器总成（基于功率半导体的硬件及软件设计，对驱动电机的工作状态进行实时控制，并持续丰富其他控制功能）、传动总成（通过齿轮组降低输出转速提高输出扭矩，以保证电驱动系统持续运行在高效区间）。 图：电驱系统示意图 图片来源：进精电动招股说明书 2、什么是"多合一电驱系统"？ 一开始电机、电控、减速器都是各自独立的零部件，但随着技术的进步，我们把这三个部分集合在一起做成一个部件，就变成了"三合一电驱"。集成的目的主要是节省空间、降低重量、提升性能、降低成本。 图片来源，巨一科技官网、翠展微电子 目前市场上集成度较高的有比亚迪旗下弗迪动力的"八合一电动力总成"，这套八合一电驱系统集成了驱动电机、电机控制器、减速器、车载充电器、直流变换器、配电箱、整车控制器、电池管理器。 图片来源，弗迪动力 当然，也并不是说集成度越高就越好，需要解决的有散热结构设计、系统稳定性、生产工艺成熟度等问题，对消费者来说，后期维修成本也是一大问题。所以具体怎样选用多合一电驱系统还需要综合。 3、IGBT模块究竟如何工作？ 在电控模块中，IGBT模块是逆变器的最核心部件，总结其工作原理： 通过非通即断的半导体特性，不考虑过渡过程和寄生效应，我们将单个IGBT芯片看做一个理想的开关。我们在模块内部搭建起若干个IGBT芯片单元的并串联结构，当直流电通过模块时，通过不同开关组合的快速开断，来改变电流的流出方向和频率，从而输出得到我们想要的交流电。 图：IGBT逆变原理 图片来源网络，侵删 02、IGBT模块结构和汽车IGBT模块应用上面提到了IGBT模块在电驱系统中的作用，下面我们展开来具体看看IGBT模块的结构。 1、IGBT模块实物长啥样？ IGBT模块的标准封装形式是一个扁平的类长方体，下图为HP1模块的正上方视角，最外面白色的都是塑料外壳，底部是导热散热的金属底板（一般是铜材料）。可以看到模块外面还有非常多的端子和引脚，各自有自己的作用： 1是DC正，2是DC负；3，4，5是三相交流电的U、V、W接口；6，25，22是集电极的信号端子，7，9，11，13，15，17是门极信号端子；8，10，12，14，16，18是发射极信号端子；19是DC负极信号端子；23，24是NTC热敏电阻端子。 图：HP1模块等效电路图 图：HP1模块等效电路图 图片来源，翠展微 2、IGBT的基础拓扑结构是怎样的？ 2023年时间已过半，第二季度的工作已告一段落。为进一步总结肯定第二季度的工作成果，正视反思目前的现状。 图：IGBT模块基础电路拓扑结构 图片来源，翠展微 如上图所示，在IGBT模块/单管中，一般统称一单元是IGBT单管，二单元是单个桥臂（半桥），四单元是H桥（单相桥），六单元是三相桥（全桥），七单元一般是六单元+一个制动单元，八单元一般是六单元+制动单元+预充电单元。 一个单元由1对、2对或3对FRD+IGBT组成。其中1对，可以是1个FRD+1个IGBT，也可以是1个FRD+2个IGBT等。 具体实物可参照下图，这是一个6单元的IGBT模块。 图：英飞凌Primepack IGBT模块 图片来源，"耿博士电力电子技术"公众号 3、IGBT模块的生产流程？ 图：IGBT 标准封装结构横切面 图片来源，翠展微 如上图所示，可以看到IGBT模块横切面的界面，目前壳封工艺的模块基本结构都相差不大。IGBT模块封装的流程大致如下： 贴片→真空回流焊接→超声波清洗→X-ray缺陷检测→引线键合→静态测试→二次焊接→壳体灌胶与固化→端子成形→功能测试（动态测试、绝缘测试、反偏测试） 贴片，首先将IGBT wafer上的每一个die贴片到DBC上。DBC是覆铜陶瓷基板，中间是陶瓷，双面覆铜，DBC类似PCB起到导电和电气隔离等作用，常用的陶瓷绝缘材料为氧化铝（Al2O3）和氮化铝（AlN）； 真空焊接，贴片后通过真空焊接将die与DBC固定，一般焊料是锡片或锡膏； X-ray空洞检测，需要检测在敢接过程中出现的气泡情况，即空洞，空洞的存在将会严重影响器件的热阻和散热效率，以致出现过温、烧坏、爆炸等问题。一般汽车IGBT模块要求空洞率低于1%； 接下来是wire bonding工艺，用金属线将die和DBC键合，使用最多的是铝线，其他常用的包括铜线、铜带、铝带； 中间会有一系列的外观检测、静态测试，过程中有问题的模块直接报废； 重复以上工序将DBC焊接和键合到铜底板上，然后是灌胶、封壳、激光打码等工序； 出厂前会做最后的功能测试，包括电气性能的动态测试、绝缘测试、反偏测试等等。 4、常见的汽车IGBT模块封装类型有哪些？ Econodual 系列半桥封装，应用在商用车上为主，主要规格为1200V/450A，1200V/600A等； HP1全桥封装，主要用在中小功率车型上，包括部分A级车、绝大部分的A0、A00车，峰值功率一般在70kW以内，型号以650V400A为主，其他规格如750V300A、750V400A、750V550A等； HPD全桥封装，中大功率型车上使用，大部分A级车及以上，以750V820A的规格占据市场主流，其他规格如750V550A等； DC6全桥封装，基于UVW三相全桥的整体式封装方案，具备封装紧凑，功率密度高，散热性能好等特点； TO247单管并联，市场上也有少量使用TO247单管封装的电控系统方案。使用单管并联方案的优势主要有两点：①单管方案可以实现灵活的线路设计，需要多大的电流就用相应的单管并联就好了，所以成本也有一定优势；②寄生电感问题比IGBT模块好解决。但是使用单管并联也存在一些待解决的难点：①每个并联单管之间均流和平衡比较困难，一致性比较难得到保障，例如实现同时的开断，相同的电流、温度等；②客户的系统设计、工艺难度非常大；③接口比较多，对产线的要求很高。 5、汽车IGBT模块要做哪些测试验证？ 汽车IGBT模块对产品性能和质量的要求要明显高于消费和工控领域，因此车规认证成为了汽车IGBT模块市场的最重要壁垒，一般来说，车规级IGBT需要2年左右的车型导入周期。 汽车IGBT模块测试标准主要参照AEC-Q101和AQG-324，同时车企会根据自己的车型特点提出相应的要求，主要测试方法包括：参数测试、ESD测试、绝缘耐压、机械振动、机械冲击、高温老化、低温老化、温度循环、温度冲击、UHAST（高温高湿无偏压）、HTRB（高温反偏）、HTGB（高温删偏）、H3TRB/HAST（高温高湿反偏）、功率循环、可焊性。 其中功率循环和温度循环作为代表的耐久测试，要求极为严格，例如功率循环次数可能从几万次到十万次不等。主要目的是测试键合线、焊接层等机械连接层的耐久情况。测试时的失效机理主要是，芯片、键合线、DBC、焊料等的热膨胀系数不一致，导致键合线脱落、断裂，芯片焊层分离，以及焊料老化等。 03、中国汽车IGBT市场情况随着国内新能源汽车产业的快速发展，产业链上游大有逐步完成国产替代，甚至引领世界的趋势，诸如整车品牌、动力电池、电池材料等等已经走得比较靠前。而汽车电控IGBT模块是新能源汽车最核心的功率器件，之前一直被诸如英飞凌、安森美、赛米控、三菱电机等国外供应商垄断，但随着比亚迪半导体、斯达半导、中车时代、士兰微、翠展微等国内供应商的崛起，目前在一定程度上已经能够满足国产需求，相信在不久的将来，国内汽车半导体企业会更大更强！ 免责声明：本文采摘自"ittbank"，本文仅代表作者个人观点，不代表金航标及行业观点，只为转载与分享，支持保护知识产权，转载请注明原出处及作者，如有侵权请联系我们删除。

作为一名制造业人士，你可以没有车，但对车的结构一定要有所了解。今天我们把车大卸八块给大家看看，构造图一目了然，接下来77张高清图奉上，欢迎围观。 01、基本数据 02、车身结构 03、悬挂系统结构 05、差速器及四驱结构 06、变速器结构种类 07、传动系统结构 08、发动机缸内直喷原理 免责声明：本文采摘自"ittbank"，本文仅代表作者个人观点，不代表金航标及行业观点，只为转载与分享，支持保护知识产权，转载请注明原出处及作者，如有侵权请联系我们删除。

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日前，余承东与董宇辉一起进行了场直播活动，聊到了华为手机、研发等话题。 值得注意的是，余承东还首次透露了华为"下一代折叠屏"产品。 余承东自信的表示：这是一款别人都能想得到，但都做不出来的产品。 他透露，华为团队对这一概念的构想已长达五年之久，历经无数技术挑战与突破，如今终于接近量产的曙光。 按照近期行业爆料来看，余承东提到的新品极大概率就是华为三折叠屏手机。 据悉，该机将采用内折+外折的方案，拥有双铰链设计，屏幕尺寸预测在10英寸左右。 这种全新三折形态将彻底改变"手机"的使用方式和场景，将手机完全展开之后媲美平板，甚至能处理部分办公需求，比如简单的文字、表格处理等等。 有望9月份正式发布 据博主"定焦数码"爆料，全球首款三折叠屏手机将在两个月时间内发布。 也就是说，该机有望在9月份正式发布，刚好与iPhone 16系列重合，带来顶级国产与国际巨头的碰撞。 不同的是，华为三折代表着遥遥领先的国产创新技术，而iPhone 16系列依然是挤牙膏产品，甚至标准版依然是售价超5000元的60Hz低刷屏。 博主"数码闲聊站"透露称，这款华为三折叠屏采用的是麒麟9系平台。 他还称，三折手机更多的是一种秀肌肉产物，产量非常少，价格也会创下新高。 可以预料的是，华为三折叠屏手机上市之初价格会非常高昂，远超iPhone的售价，甚至起售价都无限逼近2万元。 当然了，按照国内供应链的能力，三折手机兴起之后很快就会吧价格打下来，后续几年甚至出现各厂商跟进普及的盛况，值得期待。 目前的大折叠普遍在8英寸左右，华为三折叠直接来到了10英寸，而且展开后屏幕比例更接近平板，恐怕要彻底颠覆手机和平板了。 华为这次是真的玩大了！ 免责声明：本文采摘自" ittbank"，本文仅代表作者个人观点，不代表金航标及行业观点，只为转载与分享，支持保护知识产权，转载请注明原出处及作者，如有侵权请联系我们删除。

RS-485是美国电子工业协会（EIA）在1983年批准了一个新的平衡传输标准（balanced transmission standard），EIA一开始将RS（Recommended Standard）做为标准的前缀，不过后来为了便于识别标准的来源，已将RS改为EIA/TIA。目前标准名称为TIA-485，但工程师及应用指南仍继续使用RS-485来称呼此标准。 RS-485仅是一个电气标准，描述了接口的物理层，像协议、时序、串行或并行数据以及链路全部由设计者或更高层协议定义。RS-485定义的是使用平衡（也称作差分）多点传输线的驱动器（driver）和接收器（receiver）的电气特性。 关键特性 差分传输增加噪声抗扰度，减少噪声辐射 长距离链路，最长可达4000英尺（约1219米） 数据速率高达10Mbps（40英寸内，约12.2米） 同一总线可以连接多个驱动器和接收器 宽共模范围允许驱动器和接收器之间存在地电位差异，允许最大共模电压-7-12V 信号电平 RS-485能够进行远距离传输主要得益于使用差分信号进行传输，当有噪声干扰时仍可以使用线路上两者差值进行判断，使传输数据不受噪声干扰:动图演示常用通信协议原理。 RS-485差分线路包括以下2个信号： A：非反向（non-inverting）信号 B：反向（inverting）信号 也可能会有第3个信号，为了平衡线路正常动作要求所有平衡线路上有一个共同参考点，称为SC或者G。该信号可以限制接收端收到的共模信号，收发器会以此信号作为基准值来测量AB线路上的电压。RS-485标准中提到： 若是MARK（逻辑1），线路B信号电压比线路A高 若是SPACE（逻辑0），线路A信号电压比线路B高 注：不同的IC使用的信号标示方式不同，不过EIA的标准中只使用A和B的名称。数据为1时，信号B会比信号A要高。不过因为标准其中也提到信号A是"非反向信号"，信号B是"反向信号"。因此信号A、B的定义就更容易混淆了，许多组件制造商（错误的）依循了这个A/B的命名原则，所以具体定义需要实际参考设计厂家芯片手册。 为了不引起分歧，一种常用的命名方式是： TX+ / RX+ 或D+来代替B（信号1时为高电平） TX- / RX- 或D-来代替A（信号0时为低电平） 下图列出在RS-485利用"异步开始-停止"方式发送一个字符（0xD3，最低比特先发送）时，U+端子及 U?端子上的电压变化。 阈值电压 如果发射器输入端收到逻辑高电平（DI=1）,则线路A电压高于线路B（VOA>VOB）；如果发射器输入端接收到逻辑低电平（DI=0），则线路B电压高于线路A（VOB>VOA）。如果接收器的输入端线路A电压高于线路B（VIA-VIB>200mV），则接收器输出为逻辑高电平（RO=1）；如果接收器的输入端线路B电压高于线路A（VIB-VIA>200mV），则接收器输出逻辑低电平（RO=0）。 符合RS-485标准的驱动器能够提供不小于1.5V的差分输出（在54Ω负载下），符合RS-485标准的接收器能检测小到200mV的差分信号输入。即便是在线缆和连接器严重降级的情况下，这两个值仍能为高可靠性的数据传输提供充足的余量。 单位负载（UL） RS-485总线上的驱动器和接收器最大数量取决于它们的负载特性。驱动器和接收器的负载都是相对单位负载而衡量的。485标准规定一根传输总线上最多可以挂接32个单位负载。 单位负载定义为：在12V共模电压环境中，允许通过稳态负载1mA电流，或者是在-7V共模电压环境中，允许通过稳态负载0.8mA电流。将接收器输入阻抗看作12 k?并给收发器1mA电流，这可以代表一个单位负载。 部分RS-485接收器额定具有1/4或1/8UL，意味着可以挂载多数量的连接器。有关UL和接收器输入阻抗对应关系如下图所示： 工作模式 总线接口可以设计为如下两种方式： 半双工（Half-Duplex）RS-485 全双工（Full-Duplex）RS-485 关于多个半双工总线配置如下图所示，一次只能在一个方向传输数据。 关于全双工总线配置如下图所示，允许主从节点之间双向同时通信。 总线终端和分支长度 为避免信号反射，当线缆长度很长时数据传输线必须有终点，并且分支长度尽可能的短。正确的终端需要终端电阻RT匹配，其值为传输线的特性阻抗Z0。RS-485标准建议线缆的Z0=120Ω。电缆干线通常终端匹配120Ω的电阻，线缆的末尾处各一个。见下图示意： 分支的电气长度（收发器和电缆干线的导线距离）应小于驱动器上升沿时间的十分之一： LStub ≤ tr * v * c/10 LStub= 最大分支长度（单位英尺） tr= 驱动器（10/90）上升沿时间（单位ns） v = 信号在电缆上传输的速率相对于光速的比率 c = 光速（9.8*10^8ft/s） 太长的分支长度会导致信号发射反射影响阻抗，下图是长分支长度与短分支长度波形对比。 数据速率和电缆长度 使用高数据速率时，只能使用较短线缆。使用低数据速率时，可以使用较长的线缆。对应低速率应用，电缆的直流电阻通过在电缆压降增加了噪声裕量，限制了电缆长度。使用高速率应用时，电缆的交流效应限制了信号质量，限制电缆长度。下图提供了较为保守的电缆长度和数据速率变化曲线。 故障安全（Fail-Safe） 总线空闲期间，没有器件驱动总线，接收器输出处于未定义状态。这会导致UART上接收到随机数据，进而影响无效起始位或帧错误。为了解决该问题，可以在总线上放置上拉下拉电阻进行偏置，具体上下拉电阻大小选择后面会讲到，如下图所示： R1和R2计算如下（假设RT=120Ω）： R1=R2=R VIA-VIB ≥ 200mV VIA-VIB = RT*VCC / (2R+RT) = 200mV if VCC = 5V,then R = 1440Ω if VCC = 3V,then R = 960Ω 如果R值有较低值（VIA-VIB>200mV），系统有更大的噪声裕量。当然上下拉电阻会导致DC电流偏置，增加Tx负载，使得节点数量减少。有关总线状态和差分输入电压图形如下图所示： 真故障安全接收器（Ture Fail-Safe Receivers） 新一代RS-485接收器经过改进，使差分输入阈值电压从±200mV调整至-200mV和-30mV，这样就可以省去使用上下拉电阻。在总线空闲期间，VIA-VIB=0（大于-30mV）导致接收器输出处于高电平（RO=1），处于确定状态。 隔离 RS-485通常使用较长链路，这会引起总线上不同节点的地电平略有不同，当有较大地电势差时会以共模干扰的形式叠加到传输线上。如果叠加的干扰信号超出接收器输入共模范围，依靠本地接地作为电流回路是很危险的，最好的解决方式是使用信号和电源隔离来实现健壮的长距离传输，下图是ADI ADM2485隔离RS-485芯片连线示意图： ESD保护 在工业应用中，雷击、电源波动、静电放电会产生较大的瞬变电压对RS-485收发器造成损害。以下ESD保护、EFT保护和浪涌保护技术规范适用于RS-485应用： IEC 61000-4-2 ESD protection IEC 61000-4-4 EFT protection IEC 61000-4-5 surge protection 使用外部钳位器件（比如TVS二极管），保护程度可进一步提升。在RS-485应用中，TVS是将总线上的电压钳位到RS-485收发器的共模电压范围（-7–12V）。一些TVS器件专门为RS-485Y应用设计。对于更高的电源瞬变，可在受保护器件与输入引脚之间增加电阻RS（10-20Ω）来加强保护。 免责声明：本文采摘自" ittbank"，本文仅代表作者个人观点，不代表金航标及行业观点，只为转载与分享，支持保护知识产权，转载请注明原出处及作者，如有侵权请联系我们删除。